Cas No. 19756-04-8 四(二甲氨基)锆

锆类氨基金属化合物主要用作CVD、ALD、等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺，常用于生长ZrO₂的前驱体。ZrO₂在45nm晶体管制备中代替二氧化硅，可以显著减少漏电量，是COMS和DRAM的high-k绝缘材料，是目前解决动态储存(DRAM)和高清显示技术难题的最优选材料之一。

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